ＭＯＳＦＥＴ: STD100NH03L  30個で１組
商品説明Remark:：Overseas shipment available.  Please contact us for  more details.	１． IRFZ44RPBF・・・・・・・終了しました メーカ:Vishay Semiconductors Id - 連続ドレイン電流:50 A Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:  60 V Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:  28 mOhms トランジスタ極性:N-Channel Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:20 V 最低最高動作温度:- 55 C～+ 175 C Pd - 電力損失:150 W 取り付け様式:Through Hole パッケージ/ケース:TO-220-3 チャネルモード:Enhancement、  構成:  Single、   下降時間:92 ns、 上昇時間:110 ns ２．2SK3742(Q)・・・・・・・・終了しました メーカ:Toshiba Id - 連続ドレイン電流:5 A Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:  900 V Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:  2.5 Ohms トランジスタ極性:N-Channel Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:30 V 最低最高動作温度:- 55 C～+ 150 C Pd - 電力損失:450 W パッケージ/ケース:TO-220FP-3 チャネルモード: Enhancement、 構成: Single 下降時間:110 ns、上昇時間:11 ns ３．STD100NH03L・・・・・・３０個で１組 メーカ:STMicroelectronics Id - 連続ドレイン電流:60 A Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:  30 V Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:  5 mOhms トランジスタ極性:N-Channel Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:20 V 最低最高動作温度:- 55 C～+ 175 C Pd - 電力損失:100 W 取り付け様式:SMD/SMT パッケージ/ケース:DPAK-3 チャネルモード:Enhancement 構成:Single 下降時間:23 ns，上昇時間:  95 ns   順方向トランスコンダクタンス - 最小:  40 S 表示仕様が的確でない場合もありますので更に詳しい仕様はＷＥＢでお調べください。追加可能です。 他の製品もありますので、よかったらどうぞ。 その他のオークションも是非ご覧下さい。 休日： 土曜、日曜、祝日、年末年始、夏休み（８月中旬） メールの返答や配送、質問の返答が遅くなる場合がございます。 何卒ご理解の程よろしくお願い申し上げます。
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